日前，陕投新兴立芯光电宣布成功研制出1060nm超辐射发光二极管（SLD）芯片，这一突破将为国内脉冲光纤激光器厂家提供稳定靠谱的国产核心器件提供，有力支撑国内高档激光产业链的安全可控进步。
1060nm SLD芯片是光纤激光器的理想种子源，其宽谱工作模式在注入光纤激光系统时，能有效抑制放大过程中的受激布里渊散射（SBS）效应，从而突破系统峰值功率的上限，广泛应用于高档精密制造、科学研究及工业测试等场景。
在高档激光装备范围，核心光电子芯片长期是国内产业链的薄弱环节，部分重点器件高度依靠进口，成为制约产业自主进步的“卡脖子”风险点。日前，陕投新兴立芯光电宣布成功研制出1060nm超辐射发光二极管（SLD）芯片，这一突破将为国内脉冲光纤激光器厂家提供稳定靠谱的国产核心器件提供，有力支撑国内高档激光产业链的安全可控进步。
1060nm SLD芯片是光纤激光器的理想种子源，其宽谱工作模式在注入光纤激光系统时，能有效抑制放大过程中的受激布里渊散射（SBS）效应，从而突破系统峰值功率的上限，广泛应用于高档精密制造、科学研究及工业测试等场景。然而，该芯片长期被海外少数企业垄断，国内有关产业链长期面临“无芯可用”的被动局面，紧急制约了国内高档激光装备的自主进步节奏。
立芯光电研发团队经过持续技术攻关，成功突破了外延材料成长、波导弯曲角度优化、腔面镀膜等一系列重点工艺难点，最后制备出高性能1060nm SLD芯片。经严格测试，该芯片在CW连续工作模式下，输出功率大于700mW，3dB光谱带宽超越20nm——这一指标显著优于国际相同种类商品约10nm的带宽水平，意味着在抑制光纤激光系统SBS效应方面拥有更突出的性能优势。更宽的光谱带宽可以更有效地分散受激散射能量，为高功率脉冲光纤激光器提供更优质的前级种子光源。
此次技术突破，不只填补了国内在该范围的自主提供空白，也使立芯光电成为国内少数拥有高功率1060nm SLD芯片设计与制造能力的企业。从外延设计到芯片流片，再到腔面镀膜和测试验证，立芯光电达成了全链条自主可控，为后续批量化生产和顾客导入奠定了坚实的技术基础。
从外延成长到芯片流片，从光谱带宽到输出功率，立芯光电用一颗1060nm SLD芯片证明了国内光电子研发能力正在从“跟跑”走向“并跑”。这一突破不止是企业自己技术积累的成就，更是国内激光产业链补链强链的重点一步。伴随该芯片越来越导入市场，国内脉冲光纤激光器厂家将获得更具性价比和提供稳定性的国产替代选择，国内高档激光装备的自主可控能力有望得到实质性提高，为达成高水平科技自立自强贡献“芯”力量。
